常用电子电子设备元器件大全半岛真人

2023-04-09 20:43:56

　　第一章 电子元器件 第一节、电阻器 1、1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻、 1、2 电阻器的英文缩写:R (Resistor) 及排阻 RN 1、3 电阻器在电路符号: R 或 电阻器的常见单位: 千欧姆(K Ω), 兆欧姆(M Ω) 1、5 电阻器的单位换算: 1 兆欧=103 千欧=106 欧 1、6 电阻器的特性:电阻为线性原件,即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比,通过这 段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律:I=U/R。 表 1、7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)与阻抗匹配等。 1、8 电阻器在电路中用“R ”加数字表示,如:R15 表示编号为 15 的电阻器。 1、9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3 种,即直标法、色标法与数标半岛真人法。 a、直标法就是将电阻器的标称值用数字与文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用 百分数表示,未标偏差值的即为±20%、 b 、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路,在三为数码中,从左至右第一,二位数表示有 效数字,第三位表示 10 的倍幂或者用 R 表示(R 表示 0 、)如:472 表示 47 102 Ω(即 4 、7K Ω); 104 则表示 100K Ω、;R22 表示 0 、22 Ω、 122=1200 Ω=1、2KΩ、 1402=14000 Ω=14K Ω、 R22=0、22Ω、 50C=324*100=32、4K Ω、17R8=17、8 Ω、000=0Ω半岛真人、 0=0 Ω、 c、色环标注法使用最多,普通的色环电阻器用 4 环表示,精密电阻器用 5 环表示,紧靠电阻 体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环、现举例如下: 如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字就是有效数字,第三位就是 10 的倍幂, 第四 环就是色环电阻器的误差范围(见图一) 四色环电阻器(普通电阻) 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后 0 的个数(10 的倍幂) 允许误差 颜 色 第一位有效值 第二位有效值 倍 率 允 许 偏 差 黑 0 0 100 棕 1 1 101 ±1% 红 2 2 102 ±2% 橙 3 3 103 黄 4 4 104 绿 5 5 105 ±0 、5% 蓝 6 6 106 ±0、25% 紫 7 7 107 ±0、1% 灰 8 8 108 白 9 9 109 ―20%~ +50% 金 101 5% 银 102  10% 无色 20% 图1-1 两位有效数字阻值的色环表示法 如果色环电阻器用五环表示,前面三位数字就是有效数字,第四位就是10的倍幂、 第 五环就是色环电阻器的误差范围、(见图二) 五色环电阻器(精密电阻) 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后0 的个数(10的倍幂) 允许误差 颜色 第一位有效值 第二位有效 第三位有 倍 率 允许偏差 值 效值 黑 0 0 0 100 棕 1 1 1 101  1% 红 2 2 2 102 2% 橙 3 3 3 103 黄 4 4 4 104 绿 5 5 5 105 0、5% 蓝 6 6 6 106 0、25 紫 7 7 7 107 0、1% 灰 8 8 8 108 白 9 9 9 109 -20%～+50% 金 101 ±5% 银 102 ±10% 图1-2 三位有效数字阻值的色环表示法 d、SMT精密电阻的表示法,通常也就是用3位标示。一般就是2位数字 1位字母表 示,两个数字就是有效数字,字母表示10的倍幂,但就是要根据实际情况到精密电阻查询表里出查 找、下面就是精密电阻的查询表: 代码 阻值 代码 阻值 代 阻值 代码 阻值 代码 阻值 码 code resiscane code resiscanc cod resiscan code resiscanc code resiscanc e e ce e e 1 1 1 61 422 81 681 2 1 7 62 432 82 698 3 1 4 63 442 83 715 4 1 5 11 65 464 85 750 6 1 4 66 475 86 768 7 1 1 67 487 87 787 8 1 9 68 499 88 806 9 121 29 0、196 49 316 69 511 89 825 1 324 70 523 90 845 11 127 3 1 536 91 866 12 4 3 348 73 562 93 909 14 57 74 576 94 931 5 365 75 590 94 981 16 143 36 232 56 374 76 604 95 953 17 83/388 77 619 96 976 18 92 78 634 96 976 19 154 39 249 59 402 79 649 2 12 80 665 symbol A B C D E F G H X Y Z multipliers 1 1 10-1 10-2 10-3 1、10 SMT 电阻的尺寸表示:用长与宽表示(如 0201,0603,0805,1206 等,具体如 02 表 示长为 0、02 英寸宽为 0、01 英寸)。 1、11 一般情况下电阻在电路中有两种接法:串联接法与并联接法 电阻的计算: R1 R1 R2 R2 串连: 并联: R=R1+R2 R=1/R1+1/R2 1、12 多个电阻的串并联的计算方法: 串联:R总串=R1+R2+R3+……Rn、 并联:1/R总并=1/R+2/R+3/R……1/Rn 1、13 电阻器好坏的检测: a、用指针万用表判定电阻的好坏:首先选择测量档位,再将倍率档旋钮置于适当的档位,一 般 100欧姆以下电阻器可选RX1档,100欧姆-1K欧姆的电阻器可选 RX10档,1K欧姆-10K欧 姆电阻器可选 RX100档,10K-100K欧姆的电阻器可选 RX1K档,100K欧姆以上的电阻器可选 RX10K档、 b 、测量档位选择确定后,对万用表电阻档为进行校 0, 校 0 的方法就是:将万用表两表笔金属 棒短接,观察指针有无到 0 的位置,如果不在 0 位置,调整调零旋钮表针指向电阻刻度的0 位置、 c、接着将万用表 的 两表笔分别与电阻器的两端相接,表针应指在相应的阻值刻度上,如果 表针不动与指示不稳定或指示值与电阻器上的标示值相差很大,则说明该电阻器已损坏、 d 、用数字万用表判定电阻的好坏 ;首先将万用表的档位旋钮调到欧姆档的适当档位 ,一般 200 欧姆以下电阻器可选 200 档,200-2K 欧姆电阻器可选 2K 档,2K-20K 欧姆可选 20K 档,20K-200K 欧姆的电阻器可选 200K 档,200K-200M 欧姆的电阻器选择2M 欧姆档、2M-20M 欧 姆的电阻器选择 20M 档,20M 欧姆以上的电阻器选择200M 档、 第二节 电容器 2、1 电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量、 2、2 电容器的英文缩写:C (capacitor) 2、3 电容器在电路中的表示符号: C 或 CN(排容) 2、4 电容器常见的单位: 毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF) 2 、 5 电 容 器 的 单 位 换 算 : 1 法 拉 =103 毫 法 =106 微 法 =109 纳 法 =1012 皮 -3 -6 -9 -12 法; ;1pf=10 nf=10 uf=10 mf=10 f; 2、6 电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等 2、7 电容器的特性: 电容器容量的大小就就是表示能贮存电能的大小, 电容对交流信号的 阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率与电容量有关。。电容的特性主要就是隔直流通交流,通 低频阻高频 2、8 电容器在电路中一般用“C ”加数字表示、如C25 表示编号为 25 的电容、 2、9 电容器的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法与数标法 3 种。 a; 直标法就是将电容的标称值用数字与单位在电容的本体上表示出来 :如:220MF 表示 220UF;、01UF 表示 0 、01UF;R56UF 表示 0 、56UF;6n8 表示 6800PF、 b; 不标单位的数码表示法、其中用一位到四位数表示有效数字,一般为 PF,而电解电容其容 量则为 UF、如:3 表示 3PF;2200 表示 2200PF;0、056 表示 0、056UF; c; 数字表示法:一般用三为数字表示容量的大小,前两位表示有效数字,第三位表示 10 的倍 2= 4 幂、如 102 表示 10*10 1000PF;224 表示 22*10 =0 、2UF d: 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同半岛真人。 电容器偏 差标 志符 号 :+100%-0--H 、+100%-10%--R 、+50%-10%--T 、+30%-10%--Q 、 +50%-20%-- 、+80%-20%--Z。 2、10 电容的分类:根据极性可分为有极性电容与无极性电容、我们常见到的电解电容就就是 有极性的,就是有正负极之分、 2、11 电容器的主要性能指标就是: 电容器的容量(即储存电荷的容量),耐压值(指在额定温度 范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值 )耐温值(表示电容所能 承受的最高工作温度。)、 2 、 12 电 容 器 的 品 牌 有 : 主 板 电 容 主 要 分 为 台 系 与 日系 种 , 日系 品 牌 有:NICHICON,RUBICON,RUBYCON(红宝石)、KZG、SANYO(三洋)、PANASONIC(松下)、 NIPPON、FUJITSU(富士通)等;台系品牌有:TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、 GSC、RLS等。 电容器的计算: C1 c2 c1 c2 ~ 串连: 并联: 1/C=1/C1+1/C2 C=C1+C2 2、13 多个电容的串联与并联计算公式: C 串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+、、、、、+1/CN C 并 C=C1+C2+C3+……+CN 2、14 电容器的好坏测量 a;脱离线路时检测 采用万用表Ｒ×１ｋ挡,在检测前,先将电解电容的两根引脚相碰,以便放掉电容内残 余的电荷、当表笔刚接通时,表针向右偏转一个角度,然后表针缓慢地向左回转,最后表针停 下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻,此阻值愈大愈好,最好应接近无穷大处。 如果漏电电阻只有几十千欧,说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大(表针还 应该向左回摆),说明这一电解电容的电容量也越大,反之说明容量越小。 b、线路上直接检测 主要就是检测电容器就是否已开路或已击穿这两种明显故障,而对漏电故障由于受外电 路的影响一般就是测不准的。用万用表Ｒ×１挡 ,电路断开后,先放掉残存在电容器内的电 荷。测量时若表针向右偏转,说明电解电容内部断路。如果表针向右偏转后所指示的阻值很 小(接近短路),说明电容器严重漏电或已击穿。如果表针向右偏后无回转,但所指示的阻值不 很小,说明电容器开路的可能很大,应脱开电路后进一步检测。 c.线路上通电状态时检测,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障 ,可以给电 路通电,然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压,如果电压很低或为０Ｖ,则就是 该电容器已击穿。 对于电解电容的正、负极标志不清楚的,必须先判别出它的正、负极。 对换万用表笔测两次,以漏电大(电阻值小)的一次为准,黑表笔所接一脚为负极,另一脚为正 极。 第三节 电感器 3、1 电感器的英文缩写:L (Inductance) 电路符号: 3、2 电感器的国际标准单位就是: H(亨利),mH(毫亨),uH(微亨),nH(纳亨); 3 6 9 -3 -6 -9 3、3 电感器的单位换算就是: 1H=10 m H ＝10 u H ＝10 n H;1n H ＝10 u H=10 m H=10 H 3、4 电感器的特性:通直流隔交流;通低频阻高频。 3、5 电感器的作用:滤波,陷波,振荡,储存磁能等。 3、6 电感器的分类:空芯电感与磁芯电感、磁芯电感又可称为铁芯电感与铜芯电感等、主 机板中常见的就是铜芯绕线 电感在电路中常用“L”加数字表示,如:L6 表示编号 6 的电感。电感线圈就是将绝 缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈,直流电阻就就是导线本身的电阻, 压降很小 ;当交流信号通过线圈时,线圈两端将会产生自感电动势,自感电动势的方向与外加电 压的方向相反,阻碍交流的通过,所以电感的特性就是通直流阻交流,频率越高,线圈阻抗越大。 电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法与色标法,色标法与电阻类似。如:棕、 黑、金、金表示 1uH(误差 5%)的电感。 3、8 电感的好坏测量:电感的质量检测包括外观与阻值测量、首先检测电感的外表有无完好, 磁性有无缺损,裂缝,金属部分有无腐蚀氧化,标志有无完整清晰,接线有无断裂与拆伤等、用万 用表对电感作初步检测,测线圈的直流电阻,并与原已知的正常电阻值进行比较、如果检测值比 正常值显著增大,或指针不动,可能就是电感器本体断路、若比正常值小许多,可判断电感器本体 严重短路,线圈的局部短路需用专用仪器进行检测、 第四节 半导体二极管 4、1 英文缩写:D (Diode) 电路符号就是 4、2 半导体二极管的分类 分类:a 按材质分:硅二极管与锗二极管; b 按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极 管。 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 4 、3 半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为 5 的半导体二极管。 4、4 半导体二极管的导通电压就是: a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于 0、6V 时才能导通,导通后电压保持在 0、6-0、 8V 之间、 B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于 0、2V 时才能导通,导通后电压保持在 0、2-0、 3V 之间、 4、5 半导体二极管主要特性就是单向导电性,也就就是在正向电压的作用下,导通电阻很 小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 4、6 半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。 4、7 半导体二极管的识别方法: a; 目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接瞧出半导体 二极管的正负极、在实物中如果瞧到一端有颜色标示的就是负极,另外一端就是正极、 b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性 :通常选用万用表的欧姆档 (R ﹡100 或 R ﹡ 1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出 ,当二极管导通,测的阻值较小 (一般几十欧姆至几千欧姆之间 ),这时黑表笔接的就是二极管的正极 ,红表笔接的就是二极管的 负极、当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的就是二极管的负极,红表笔接的 就是二极管的正极、 c;测试注意事项 :用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管 的负极,此时测得的阻值才就是二极管的正向导通阻值 ,这与指针式万用表的表笔接法刚好相 反。 4、8 变容二极管就是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变 化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机 或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极 管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。 变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差: (1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。 (2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收 后产生失真。 出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。 4、9 稳压二极管的基本知识 a、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这 样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动 时,负载两端的电压将基本保持不变。 b、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路与稳压值不稳定。在这 3 种故障中, 前一种故障表现出电源电压升高;后 2 种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3、3V 3、6V 3、9V 4、7V 5、1V 5、6V 6、2V 15V 27V 30V 75V 4、10 半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性就是单向导电性(注:硅管的导通电压为 0、 6－0、8V;锗管的导通电压为 0、2－0、3V),而工程分析时通常采用的就是 0、 7V、 4、11 半导体二极管的伏安特性曲线:(通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极 管的伏安特性曲线。)见图三、 图三 硅与锗管的伏安特性曲线 半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或 R﹡1K档测量二极管的正, 反向电阻要求在 1K左右,反向电阻应在 100K以上、总之,正向电阻越 小,越好、反向电阻越大越好、若正向电阻无穷大,说明二极管内部断 路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不 能使用。 第五节 半导体三极管 5、1 半导体三极管英文缩写:Q/T 5、2 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为 17 的三极管。 5、3半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)就是内部含有 2 个 PN 结,并且具有放 大能力的特殊器件。它分 NPN 型与 PNP 型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥 补,所谓 OTL 电路中的对管就就是由PNP 型与 NPN 型配对使用。 按材料来分 可分硅与锗管,我国目前生产的硅管多为NPN 型,锗管多为 PNP 型。 `E(发射极) C(集电极) E(发射极) C(集电 极) B(基极) B(基极) NPN 型三极管 PNP 型三极管 5、4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用,必须给三极管加合适的电压,即管子发 射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也就是三极管的放大必须具备的外部条 件。 5、5 半导体三极管的主要参数 a; 电流放大系数:对于三极管的电流分配规律 Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib 的变化,使集 电极电流 Ic 发生更大的变化,即基极电流 Ib 的微小变化控制了集电极电流较大,这就就是三极 管的电流放大原理。即 β= ΔIc/ΔIb。 b;极间反向电流,集电极与基极的反向饱与电流。 c;极限参数:反向击穿电压,集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。 5、6 半导体三极管具有三种工作状态,放大、饱与、截止,在模拟电路中一般使用放大作用。 饱与与截止状态一般合用在数字电路中。 a;半导体三极管的三种基本的放大电路。 共射极放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 电 路 形 式 直 流 通 道 静 R U U U  b2 U 态 I  cc I  CC B R R CC B B  b1 b2 R R (1 )R 工 b b e U 0.7 I β  I I  B  I I  I 作 C B C B C E R U U I R U U I R e 点 CE CC e e CE CC C e U U I (R R ) CE CC C c e 交 流 通 道 微 变 等 效 电 路 β R   βR  (1 )R A - L L L  u  r r (1 )R r be be L be r r i   be R//r R //(r (1 )R ) R // b be b be L e 1β r r R o be S R Re// ,R R //R R C 1 S B S C 用 多级放大电路的中间级 输入、输出级或缓冲级 高频电路或恒流源电路 途 b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断,没 有交流信号通过的极,就叫此极为公共极。 注:交流信号从基极输入,集电极输出,那发射极就叫公共极。 交流信号从基极输入,发射极输出,那集电极就叫公共极。 交流信号从发射极输入,集电极输出,那基极就叫公共极。 5、7 用万用表判断半导体三极管的极性与类型(用指针式万用表)、 a;先选量程:R﹡100 或 R ﹡1K 档位、 b;判别半导体三极管基极: 用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极,红表笔分别接半导体三极管另外两各电极,观 察指针偏转,若两次的测量阻值都大或就是都小 ,则改脚所接就就是基极 (两次阻值都小的 为 NPN 型管,两次阻值都大的为 PNP 型管),若两次测量阻值一大一小,则用黑笔重新固定半 导体三极管一个引脚极继续测量,直到找到基极。 c;、判别半导体三极管的c 极与 e 极: 确定基极后,对于 NPN 管,用万用表两表笔接三极管另外两极,交替测量两次,若两次测量 的结果不相等,则其中测得阻值较小得一次黑笔接的就是 e 极,红笔接得就是 c 极(若就是 PNP 型管则黑红表笔所接得电极相反)。 d; 判别半导体三极管的类型、 如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电 极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管就是 NPN 型半导体三极管,如果 测量的电阻值都很 小,则该三极管就是 PNP 型半导体三极管、 5、8 现在常见的三极管大部分就是塑封的,如何准确判断三极管的三只引脚哪个就是b、 c、e？三极管的b 极很容易测出来,但怎么断定哪个就是 c 哪个就是 e？ a; 这里推荐三种方法:第一种方法:对于有测三极管 hFE 插孔的指针表,先测出 b 极后,将三 极管随意插到插孔中去(当然b 极就是可以插准确的),测一下 hFE 值, b;然后再将管子倒过来再测一遍,测得 hFE 值比较大的一次,各管脚插入的位置就是正确的。 第二种方法:对无hFE测量插孔的表,或管子太大不方便插入插孔的,可以用这种方法:对NPN 管, 先测出 b 极(管子就是 NPN 还就是 PNP 以及其b 脚都很容易测出,就是吧？),将表置于 R×1kΩ 档,将红表笔接假设的 e 极(注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚),黑表笔接假设的 c 极, 同时用手指捏住表笔尖及这个管脚,将管子拿起来,用您的舌尖舔一下 b 极,瞧表头指针应有一 定的偏转,如果您各表笔接得正确,指针偏转会大些,如果接得不对,指针偏转会小些,差别就是 很明显的。由此就可判定管子的c、e 极。对PNP 管,要将黑表笔接假设的 e 极(手不要碰到笔尖 或管脚),红表笔接假设的c极,同时用手指捏住表笔尖及这个管脚,然后用舌尖舔一下b 极,如果 各表笔接得正确,表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次,比较读数后才 能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极管,方便实用。根据表针的偏转幅度,还可以估计 出管子的放大能力,当然这就是凭经验的。 c;第三种方法:先判定管子的NPN 或 PNP 类型及其 b 极后,将表置于 R×10kΩ档,对 NPN 管,黑 表笔接 e极,红表笔接c极时,表针可能会有一定偏转,对PNP 管,黑表笔接c极,红表笔接e极时, 表针可能会有一定的偏转,反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的 c、e 极。不过对于 高耐压的管子,这个方法就不适用了。 对于常见的进口型号的大功率塑封管,其 c 极基本都就是在中间(我还没见过 在中间的)。 中、小功率管有的 极可能在中间。比如常用的 9014 三极管及其系列的其它型号三极管、 2SC1815、2N5401、2N5551 等三极管,其 极有的在就中间。当然它们也有c 极在中间的。所以 在维修更换三极管时,尤其就是这些小功率三 极管,不可拿来就按原样直接安上,一定要先测一下、 5、9 半导体三极管的分类:a;按频率分:高频管与低频管 b;按功率分:小功率管,中功率管与的功率管 c;按机构分:PNP管与 NPN 管 d;按材质分:硅管与锗管 e;按功能分:开关管与放大 5、10 半导体三极管特性:三极管具有放大功能(三极管就是电流控制型器件－通过基极电 流或就是发射极电流去控制集电极电流;又由于其多子与少子都可导电称为双极型元件) NPN型三极管共发射极的特性曲线。 I (mA) C I (mA) 80μA B 4 饱 U =0V 1V 与 放大区 60 μA CE 3 区 0、4 ΔI ΔI 40 μA C B 2 0、2 20μA 1 0 0、4 0、6 0、8 U (V) I=0 μA BE B 截止区 输入特性曲线 U (V) CE 输出特性曲线 三极管各区的工作条件: 1．放大区:发射结正偏,集电结反偏: 2．饱与区:发射结正偏,集电结正偏; 3．截止区:发射结反偏,集电结反偏。 5、11 半导体三极管的好坏检测 a;先选量程:R﹡100 或 R ﹡1K 档位 b;测量 PNP 型半导体三极管的发射极与集电极的正向电阻值: 红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值 ,若将黑表笔接集电 极(红表笔不动),所测得阻值便就是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好、 c;测量 PNP 型半导体三极管的发射极与集电极的反向电阻值: 将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极与集电极的 反向电阻,反向电阻愈小愈好、 d;测量NPN 型半导体三极管的发射极与集电极的正向电阻值的方法与测量PNP 型半导体三 极管的方法相反、 第六节 场效应管 (MOS管) 6、1场效应管英文缩写:FET(Field-effect transistor) 6、2 场效应管分类:结型场效应管与绝缘栅型场效应管 6、3 场效应管电路符号: D D G G 结型场效应管 S S N 沟道 P 沟道 6、4 场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极) D D D D G G G G 绝缘栅型场效应管 S S S 增强型 S 耗尽型 N 沟道 P 沟道 N 沟道 P 沟道 注:场效应管属于电压控制型元件,又利用多子导电故称单极型元件,且具有输入电阻高,噪 声小,功耗低,无二次击穿现象等优点。 6、5 场效应晶体管的优点:具有较高输入电阻高、输入电流低于零,几乎不要向信号源吸取 电流,在在基极注入电流的大小,直接影响集电极电流的大小,利用输出电流控制输出电 源的半导体。 6、6 场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管就是电压控制元件,而晶体管就是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流 的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶 体管。 (2)场效应管就是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管就是即有多数载流 子,也利用少数载流子导电。被称半岛真人之为双极型器件。 (3)有些场效应管的源极与漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。 (4)场效应管能在很小电流与很低电压的条件下工作 ,而且它的制造工艺可以很方便地把很 多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管 6、7 场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在 RX1K 档,用黑表笔接 D 极,红表笔接 S 极,用手同时触及一下 G,D 极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手 触及一下 G,S 极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动、此时应可判断出场效应管为好管、 将万用表的量程选择在 RX1K 档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚 与其她两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为 G 极,其它 两脚为 S 极与D 极、然后再用万用表测量S 极与D 极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次, 其中阻值较小的一次,黑表笔接的就是 S 极,红表笔接的就是D 极、 第七节 集成电路 7、1 集成电路的英文缩写 IC(integrate circuit) 7、2 电路中的表示符号: U 7、3 集成电路的优点就是:集成电路就是在一块单晶硅上,用光刻法制作出很多三极管,二极 管,电阻与电容,并按照特定的要求把她们连接起来,构成一个完整的电路、由于集成电路具有体 积小,重量轻,可靠性高与性能稳定等优点,所以特别就是大规模与超大规模的集成电路的出现, 就是电子设备在微型化,可靠性与灵活性方面向前推进了一大步、 7、4 集成电路常见的封装形式 BGA(ball grid array)球栅阵列(封装) 见图二 QFP(quad flat package)四面有鸥翼型脚(封装) 见图一 SOIC(small outline integrated circuit) 两面有鸥翼型脚(封装) 见图五 PLCC(plastic leaded chip carrier)四边有内勾型脚(封装) 见图三 SOJ(small outline junction) 两边有内勾型脚(封装) 见图四 图一 图二 图三 图四 图五 7、5 集成电路的脚位判别; 1. 对于 BGA 封装 (用坐标表示):在打点或就是有颜色标示处逆时针开始数用英文字 母表示－A,B,C,D,E……(其中 I,O 基本不用),顺时针用数字表示－ 1,2,3,4,5,6……其中字母位横坐标,数字为纵坐标 如:A1,A2 2. 对于其她的封装:在打点,有凹槽或就是有颜色标示处逆时针开始数为第一脚,第 二脚,第三脚…… 7 、6 集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线.非在线测量 非在线测量潮在集成电路未焊入电路时,通过测量其各引脚之间的直流电 阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比, 以确定其就是否正常。 2.在线测量 在线测量法就是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等,通过在电路上测 量集成电路的各引脚电压值、电阻值与电流值就是否正常,来判断该集成电路就是否损坏。 3.代换法 代换法就是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路,可以判断 出该集成电路就是否损坏。 第八节 Socket,Slot 8、1 Socket 与Slot 的异同: Socket 就是一种插座封装形式,就是一种矩型的插座(见图 六); Slot 就是一种插槽封装形式,就是一种长方形的插槽( 图七)、 图六 图七 第九节 PCB 的简介 9、1 PCB 的英文缩写PCB(Printed Circuit Board) 9、2 PCB 的作用:PCB 作为一块基板,她就是装载其它电子元器件 的载体,所以一块PCB 设计的好坏将直接影响到产品质量的好坏、 9、3 PCB 的分类与常见的规格:根据层数可分为单面板,双面板与 多层板、我们主机板常用的就是4 层板或者6 层板,而显示卡用的就 是8 层板、 而主机板的尺寸为:AT 规格的主机板尺寸一般为 13X12(单位为英 寸);ATX主机板的尺寸一般为12X96(单位为英寸);Micro Atx 主机板 尺寸一般为9、6X9、6(单位为英寸) 、注明:1 英寸=2、54CM 第十节 晶振 10、1晶振在线路中的符号就是＂X”,＂Y” 10、2晶振的名词解释:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器、 10、3晶振在线 晶振的测量方法: 测量电阻方法:用万用表 RX10K 档测量石英晶体振荡器的正,反 向电阻值、正常时应为无穷大、若测得石英晶体振荡器有一定的阻 值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏、 动态测量方法:用就是波器在电路工作时测量它的实际振荡频就是 否符合该晶体的额定振荡频率 ,如果就是,说明该晶振就是正常的 , 如果该晶体的额定振荡频率偏低,偏高或根本不起振,表明该晶振已 漏电或击穿损坏 第十一节 基本逻辑门电路 1、1 门电路的概念: 实现基本与常用逻辑运算的电子电路,叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门,实现或运算 的叫或门,实现非运算的叫非门,也叫做反相器,等等(用逻辑 1 表示高电平;用逻辑 0 表示低电 平) 11、2 与门: F A B 逻辑表达式 ＝ 即只有当输入端 A 与 B 均为 1 时,输出端 Y 才为 1,不然 Y 为 0、与门的常用芯片型号 有:74LS08,74LS09等、 F A+ B 11、3 或门: 逻辑表达式 ＝ 即当输入端A 与 B 有一个为 1 时,输出端 Y 即为 1,所以输入端 A 与 B 均为 0 时,Y 才会为 O、或 门的常用芯片型号有:74LS32等、 F 11、4.非门 逻辑表达式 =A 即输出端总就是与输入端相反、非门的常用芯片型号有:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14等、 11、5.与非门 逻辑表达式 F=AB 即只有当所有输入端 A 与 B均为 1时,输出端 Y 才为 0,不然 Y 为 1、与非门的常用芯片型号 有:74LS00,74LS03,74S31,74LS132等、 11、6.或非门: 逻辑表达式 F=A+B 即只要输入端A与 B中有一个为 1时,输出端 Y 即为 0、所以输入端A与 B均为 0时,Y才会为 1、或非门常见的芯片型号有:74LS02等、 11、7.同或门: 逻辑表达式 F=A B+A B A F =1 B 11、8、异或门:逻辑表达式 F=A B+A B A =1 F B 11、9、与或非门:逻辑表逻辑表达式 F=AB+CD A ≥1 B ＆ C F D 11、10、RS 触发器: 电路结构 把两个与非门 G1、G2 的输入、输出端交叉连接,即可构成基本RS 触发器,其逻辑电路如图 7、2、 1、(a)所示。它有两个输入端 R、S 与两个输出端 Q、Q。 工作原理 : 基本 RS 触发器的逻辑方程为: 根据上述两个式子得到它的四种输入与输出的关系: 1、当R=1、S=0 时,则 Q=0,Q=1,触发器置 1。 2、当R=0、S=1 时,则 Q=1,Q=0,触发器置 0。 如上所述,当触发器的两个输入端加入不同逻辑电平时,它的两个输出端 Q Q 有两种互补的稳 定状态。一般规定触发器 Q 端的状态作为触发器的状态。通常称触发器处于某种状态,实际就是 指它的 Q 端的状态。Q=1、Q=0 时,称触发器处于 1态,反之触发器处于 0 态。S=0,R=1 使触发器 置 1,或称置位。因置位的决定条件就是S=0,故称 S 端为置 1 端。R=0,S=1 时,使触发器置 0,或 称复位。 同理,称 R 端为置 0 端或复位端。若触发器原来为1态,欲使之变为 0 态,必须令 R 端的电平由 1 变 0,S 端的电平由 0 变 1。这里所加的输入信号(低电平)称为触发信号,由它们导致的转换过程 称为翻转。由于这里的触发信号就是电平,因此这种触发器称为电平控制触发器。从功能方面瞧, 它只能在 S R 的作用下置0 与置 1,所以又称为置 0 置 1触发器,或称为置位复位触发器。其 逻辑符号如图7、2、1(b)所示。由于置0或置1都就是触发信号低电平有效,因此,S端与R端 都画有小圆圈。 3、当R=S=1时,触发器状态保持不变。 触发器保持状态时,输入端都加非有效电平(高电平),需要触发翻转时,要求在某一输入端加一 负脉冲,例如在S端加负脉冲使触发器置1,该脉冲信号回到高电平后,触发器仍维持1状态不变, 相当于把S端某一时刻的电平信号存储起来,这体现了触发器具有记忆功能。 4、当R=S=0时,触发器状态不确定 在此条件下,两个与非门的输出端Q与Q全为1,在两个输入信号都同时撤去(回到1)后,由于两 个与非门的延迟时间无法确定,触发器的状态不能确定就是1还就是0,因此称这种情况为不定 状态,这种情况应当避免。从另外一个角度来说,正因为R端与S端完成置0、置1都就是低电 平有效,所以二者不能同时为0。 此外,还可以用或非门的输入、输出端交叉连接构成置0、置1触发器,其逻辑图与逻辑符号分 别如图7、2、2(a)与7、2、2(b)所示电子设备。这种触发器的触发信号就是高电平有效,因此在逻辑符 号的S端与R端没有小圆圈。 2、特征方程 基本RS触发器的特性: 1、基本RS触发器具有置位、复位与保持(记忆)的功能; 2、基本RS触发器的触发信号就是低电平有效,属于电平触发方式; 3、基本RS触发器存在约束条件(R+S=1),由于两个与非门的延迟时间无法确定;当R=S=0时,将 导致下一状态的不确定。 4、当输入信号发生变化时,输出即刻就会发生相应的变化,即抗干扰性能较差。 第十二节 TTL 逻辑门电路 以双极型半导体管为基本元件,集成在一块硅片上,并具有一定的逻辑功能的电路称为双极型 逻辑集成电路,简称 TTL 逻辑门电路。称 Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT 逻辑门电路,就是 数字电子技术中常用的一种逻辑门电路 ,应用较早,技术已比较成熟。TTL 主要有 BJT(Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管,晶体三极管)与电阻构成,具有速度快的特点。最早的TTL 门电路就是74 系列,后来出现了 74H 系列,74L 系列,74LS,74AS,74ALS 等系列。但就是由于 TTL 功耗大等缺点,正逐渐被 CMOS 电路取代。 12.1 CMOS 逻辑门电路 CMOS逻辑门电路就是在 TTL 电路问世之后 ,所开发出的第二种广泛应用的数字 集成器件,从发展趋势来瞧,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而 成为占主导地位的逻辑器件 。CMOS 电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗与 抗干扰能力则远优于 TTL。此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及 PLD器件都采用 CMOS艺制造,且费用较低。 早期生产的 CMOS 门电路为4000系列 ,随后发展为 4000B系列。当前与 TTL兼 容的 CMO器件如 74HCT系列等可与 TTL器件交换使用。下面首先讨论 CMOS反相 器,然后介绍其她 CMO逻辑门电路。 MOS管结构图 MOS管主要参数: 1、开启电压V T 开启电压(又称阈值电压):使得源极S与漏极D之间开始形成导电沟道所需 的栅极电压; 标准的 N沟道 MOS管,V 约为 3～6V; T 通过工艺上的改进,可以使 MOS管的 V 值降到 2～3V。 T 2、 直流输入电阻 R GS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 这一特性有时以流过栅极的栅流表示 MOS管的 R 可以很容易地超过 1010Ω。 GS 3、 漏源击穿电压 BV DS 在 V =0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使 I 开始剧增时的 GS D V 称为漏源击穿电压 BV DS DS ·I 剧增的原因有下列两个方面: D (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加V 会使漏区的耗尽层一直扩展 DS 到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后 ,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID 4、 栅源击穿电压BV GS ·在增加栅源电压过程中,使栅极电流I 由零开始剧增时的V ,称为栅源击 G GS 穿电压BV 。 GS 5、 低频跨导gm ·在V 为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量与引起这个变化的栅 DS 源电压微变量之比称为跨导 ·g 反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 m ·就是表征MOS管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V的范围内 6、 导通电阻R ON ·导通电阻R 说明了V 对I 的影响 ,就是漏极特性某一点切线的斜率的 ON DS D 倒数 ·在饱与区,I 几乎不随V 改变,R 的数值很大 ,一般在几十千欧到几百千 D DS ON 欧之间 ·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在V =0的状态下,所以这时 DS 的导通电阻R 可用原点的R 来近似 ON ON ·对一般的MOS管而言,R 的数值在几百欧以内 ON 7、 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容C 、栅漏电容C 与漏源电 GS GD 容CDS ·C 与C 约为1～3pF GS GD ·C 约在0、1～1pF之间 DS 8、 低频噪声系数NF ·噪声就是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 ·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输 出端也 出现不规则的电压或电流变化 ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB) ·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小 ·低频噪声系数就是在低频范围内测出的噪声系数 ·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小 第十三节 单元电路 13.1 CMOS反相器 由本书模拟部分已知,MOSFET 有P 沟道与N 沟道两种,每种中又有耗尽型 与增强型两类。由N 沟道与P 沟道两种MOSFET 组成的电路称为互补MOS 或CMOS 电路。 下图表示CMOS 反相器电路,由两只增强型MOSFET 组成,其中一个为N 沟道结构,另一个为P 沟道结构。为了电路能正常工作,要求电源电压VDD 大于两 个管子的开启电压的绝对值之与,即 VDD ＞(VTN ＋VTP ) 。 1、工作原理 首先考虑两种极限情况:当v 处于逻辑0 时 ,相应的电压近似为0V;而当v I I 处于逻辑1 时,相应的电压近似为VDD 。假设在两种情况下N 沟道管 TN 为工作 管P 沟道管TP 为负载管。但就是,由于电路就是互补对称的,这种假设可以就是 任意的,相反的情况亦将导致相同的结果。 下图分析了当v =V 时的工作情况。在TN 的输出特性i —v (v ＝ I DD D DS GSN V )(注意v =v )上 ,叠加一条负载线,它就是负载管T 在 v =0V 时的输出 DD DSN O P SGP 特性i －v 。由于v ＜V (V =V =V ),负载曲线几乎就是一条与横轴重合 D SD SGP T TN TP T 的水平线。两条曲线的交点即工作点。显然,这时的输出电压vOL≈0V(典型值＜ 10mV ,而通过两管的电流接近于零。这就就是说,电路的功耗很小(微瓦量级) 下图分析了另一种极限情况,此时对应于v ＝0V 。此时工作管T 在v ＝0 I N GSN 的情况下运用,其输出特性i －v 几乎与横轴重合 ,负载曲线就是负载管T 在 D DS P v ＝V 时的输出特性i －v 。由图可知,工作点决定了V ＝V ≈V ;通过 sGP DD D DS O OH DD 两器件的电流接近零值 。可见上述两种极限情况下的功耗都很低。 由此可知,基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元,其输出电压接近于 零或+V ,而功耗几乎为零。 DD 2、传输特性 下图为CMOS反相器的传输特性图。图中V =10V,V =V =V = DD TN TP T 2V。由于 V ＞(V ＋V ),因此,当V -V

　　vI

　　V 时,T 与T 两管同时导 DD TN TP DD TP TN N P 通。考虑到电路就是互补对称的,一器件可将另一器件视为它的漏极负载。还应 注意到,器件在放大区(饱与区)呈现恒流特性,两器件之一可当作高阻值的负载。 因此,在过渡区域,传输特性变化比较急剧。两管在V=V /2处转换状态。 I DD 3、工作速度 CMOS反相器在电容负载情况下,它的开通时间与关闭时间就是相等的,这 就是因为电路具有互补对称的性质。下图表示当v=0V时 ,T

　　GB T 32610-2016_日常防护型口罩技术规范_高清版_可检索.pdf